全自动晶圆等离子去胶机NE-ICP04C

产品型号：NE-ICP04C
性能特点：双射频等离子技术，全自动运行
产品用途：光刻胶灰化、去胶、Descum残胶去除

在线咨询

产品介绍
产品参数

NE-ICP04C全自动晶圆等离子去胶机是一款面向半导体晶圆制造及微纳加工领域开发的高精度等离子去胶设备，集晶圆自动上料、Wafer 识别、机器人自动传输、等离子去胶及生产数据管理于一体，实现晶圆从上料、识别、传输、去胶到下料的全自动化运行，有效降低人工接触及二次污染风险，满足半导体制造对工艺稳定性、洁净度及批次一致性的要求。

设备采用 ICP+CCP双射频等离子技术，通过感性耦合等离子体（ICP）产生高密度活性自由基，同时利用容性射频偏压独立调控离子能量，实现化学反应与物理离子轰击的协同作用。ICP功率与CCP偏压均可独立连续调节，可根据不同光刻胶体系及工艺要求灵活控制去胶速率、反应强度及表面处理形貌，实现稳定、高效、可控的光刻胶灰化、残胶去除及Descum工艺。

整机采用工业计算机与PLC协同控制，可实时监控射频功率、工艺时间、真空度及气体流量，支持多级用户权限、工艺配方管理、恒压控制、异常报警、EMO急停及断电记忆等功能。同时支持以太网/RS485及MES系统通讯，生产数据可记录、查询与导出，便于晶圆工艺追溯及智能制造系统集成。

该设备适用于4寸晶圆光刻胶灰化、去胶、Descum残胶去除、微纳加工前后处理及半导体相关等离子工艺，尤其适合对自动化程度、工艺重复性、污染控制及生产数据追溯具有较高要求的半导体研发与生产应用。

项目名称	规格参数
产品进料/收料方式	双料匣(4寸)，单进单收
真空腔体尺寸	W220L220H160
主体设备尺寸	1600mm(L)×1000(W) ×1800 mm(H)
主体设备重量	800KG
料爪升降行程	50
通油电极盘	₵130
机器人	晶圆机器手0.8KG负载，真空吸附手指兼容4寸/3寸
电源	380V、50 Hz
压缩空气	0.4-0.6MPa
环境需求	温度：15~25℃湿度：40~60%
工艺气体	氧气氩气氮气四氟化碳（4路）
破空气体	氮气破空
可去胶产品规格	4寸/3寸
等离子效应	ICP(电感耦合)+CCP（电容耦合RF偏压）
气体流场分布	顶部进气，腔体底部侧抽真空
气体流场分布	有效层流，提升等离子均匀度
设备工艺能力	三层级密码设定功能：操作者，工程，原厂
控制方式	PLC+触摸屏
报警日志记录	生产数据具备记录、查询、导出功能
与 MES 系统联网	以太/RS485

上一篇：等离子体去胶机NE-RE08

下一篇：没有了

全自动晶圆等离子去胶机NE-ICP04C

推荐产品

相关阅读