干法等离子清洗主要是利用氧在等离子体中产生的活性氧与光刻胶发生反应生成二氧化碳和水以达到去除光刻胶的目的它能对高温烘烤过的胶显影后的底胶以及铝电极和大剂量离子注入过的胶进行清洗目前普遍采用的干法清洗光刻胶工艺都是在真空室里利用低气压氧等离子体来进行清洗。
等离子清洗光刻胶
等离子体清洗具有工艺简单、操作方便、没有废料处理和环境污染等问题。但它不能去除碳和其它非挥发性金属或金属氧化物杂质。等离子清洗常用于光刻胶的去除工艺中，在等离子体反应系统中通入少量的氧气，在强电场作用下，使氧气产生等离子体，迅速使光刻胶氧化成为可挥发性气体状态物质被抽走。这种清洗技术在去胶工艺中具有操作方便、效率高、表面干净、无划伤、有利于确保产品的质量等优点，而且它不用酸、碱及有机溶剂等，因此越来越受到人们重视。
等离子清洗去除光刻胶原理
在清洗光刻胶的过程中清洗速率主要取决于活性氧原子，氧原子主要是通过电荷之间的转换和再结合产生的如方程1所示
Ar++O2→Ar+O2+
O2++e-→O+O*
产生的氧原子运动到硅片表面与光刻胶发生反应。
氧等离子体清洗主要针对光刻胶等有机物,清洗机理为光刻胶中的主要成份C、H会与氧等离子体产生的O自由基结合生成气体被抽走,此过程可以表示如下:
CxHy+nO*→CO↑+CO2↑H2O↑+....+++
在微电子工业中光刻胶的清洗是一个十分重要的环节清洗工序占整个制造工序的30%~35%传统上都是采用湿化学方法来进行光刻胶的清洗的它具有不可控制清洗不彻底需要反复清洗等缺点而且会造成环境污染需要建立专门的回收处理站随着新材料的使用和微器件特征尺寸的进一步减小要求有一种更具选择性更环保也更能人为控制的清洗技术自20世纪80年代以来等离子体干法清洗被应用于光刻胶的清洗中这种技术不但可以清洗化学结构更为复杂的光刻胶而且不会产生化学废物有利于环境保护。
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